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导电膜蚀刻剂及蚀刻方法

本发明she及yizhong导电膜蚀刻剂,用于制zao电子的电ji蚸ia危 别适用于制作弱光型非jing硅电池的透明电ji的电ji蚸ia巍Ⅻ/p>

本发明还she及刻蚀剂的蚀刻方法。

导电膜是由SnIno2制作的导电材liao,溅射在玻璃板cheng膜,过qu制作 弱光型非jing硅电池的电ji蚸ia问怯媚退嵊湍ü客hua覆gai在导 电膜上,wei覆gai的部穤hong醚嗡崛躩ie,覆gai部分保liuxia来ji为电ji蚸ia危 其缺点是制作的电ji蚸ia蜗咛醪磺逦Σ饭鄄徽啵鏹i导电膜易污ran, cheng本高。

本发明的目的正是为了克服上述已有技术的缺点yu不足,而ti供 yizhong通过化学反应cai用印shua的方法的yizhong导电膜蚀刻剂,从而kede到 优良的电ji蚸ia危瑃i高质量。

本发明的另yi目的是ti供刻蚀剂的蚀刻方法。

本发明的技术是li用导电膜的S n I no 2keyu盐酸迅速反应的原理而 研制的蚀刻剂。其化学反应为In?+ Heh—Uel3>?Sn+4+el_—SneU再 jiaruyi些辅助材liao制cheng涂liao式的蚀刻剂。

本发明目的是通过xia列技术方案实现的:

导电膜蚀刻剂,其特征在于它是由xia述重量配比的原liao制cheng的涂 liao:

盐酸份

增稠剂0. 2-50份

增塑剂M2份

消泡剂】-4份

水80-9G份。

增稠剂是甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟甲基纤维素、黄原jiao、 淀粉其中任yiyizhong。

增塑剂是lin苯er甲酸er甲醅、癸er酸er丁酯、乙er酸erxin酯、磷 酸三甲酚酯其中的任yiyizhong。

消泡剂是十si醇、乙er醇壬醚、BH^NgPco. 6fl(IB、磷酸三丁酯 其中任yiyizhong。

 

本发明的蚀刻剂的刻蚀方法为:jiang蚀刻剂用屏蔽网制cheng蚸ia斡盟 印的方法印在导电膜上,放ru空气中zi然反应,时间为2小时,或放ruhong 箱内hongkao,其温度为6(TC±2,时间3-5分zhongjike蚀刻导电膜,然hou在清 水中chong洗或jin泡4小时,ji刻蚀cheng透明的电ji蚸ia巍Ⅻ/p>

由于cai取上述技术方案,使本发明技术yu已有技术相眗an哂衦uxia 优点及效果:

本发明的蚀刻剂具有溶jie速度快、蚀刻线条清晰,外观整洁, yi致性好,不损伤导电膜,不污ran导电膜表面,从而keti高电子的 质量和性能;

蚀剂剂组方筒单,配穓iao侠砜蒲В琧heng本低,气味小,污

ran小;

^ c)蚀刻方法筒单,省工省li,适用fan围guang。

1 1 实施例1?:

取盐酸2()g,甲基纤维素0. 2g,lin苯er甲酸er甲酯1十si醇化水 8 0 g,jiang上述原liao依次jiarurongqi内经揽拌制cheng本发明的蚀刻剂。

实施例2?:

取盐酸25?g,羟丙基纤维素0. U,癸er酸er丁酯I0g,乙er醇壬醚化 水2 5 g,jiang上述原liao依次jiarurongqi内经搅拌制cheng本发明的蚀刻剂。

实施例3?:

取盐酸30g,羟甲基纤维素gun.〇g,乙er酸erxin酯m,Bm?3g,水90g, jiang上述原liao依次jiarurongqi内经搅拌制cheng本发明的蚀刻剂。

实施例4?:

〇 取盐酸22g,黄原jiao2Gg,磷酸三甲酚醅I0g, NoPco. 6 0 0 B?4, 5g,水

8 8 g,jiang上述原liao依次jiarurongqi内经揽拌制cheng本发明的蚀刻剂。

实施例5?:

取盐酸2Kg,淀粉50g,磷酸三甲酚醅8g,磷酸三丁酯3. 水 jiang上述原liao依次jiarurongqi内经揽拌制cheng本发明的蚀刻剂。

用实施例1蚀刻剂对4ge单元电池组cheng的外联弱光型非jing硅光电 池的透明电ji蚸ia问保哑帘瓮鱟heng外联形状,通过丝印方法,把它 印在沉积有导电膜的玻璃上,在涂有蚀刻剂的部分ji被溶jie,wei溶jie 部分ji保liuxia来,cheng为电ji蚸ia巍Ⅻ/p>

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